Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 194251 Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние джоулева разогрева наквантовую эффективность ивыбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов

Ефремов А.А., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Лавринович Д.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г.

Ефремов А.А., Бочкарева Н.И., Горбунов Р.И., Лавринович Д.А., Ребане Ю.Т., Тархин Д.В., Шретер Ю.Г. Влияние джоулева разогрева наквантовую эффективность ивыбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 621

Аннотация Рассмотрена тепловая модель светодиода с InGaN/GaN-квантовой ямой в активной области. Исследовано влияние температуры и рабочих токов светодиода, а также размера и материала радиатора на выход света и эффективность голубого светодиода. Показано, что при оптимальном теплоотводе уменьшение эффективности светодиода с ростом тока накачки до100 мА связано с влиянием электрического поля на эффективность инжекции носителей заряда в квантовую яму. При дальнейшем росте тока до400 мА причиной снижения эффективности является джоулев нагрев. Показано, что рабочие токи светодиодов можно увеличить в 5--7раз при оптимальном отводе тепла. Даны рекомендации по охлаждению светодиодов в зависимости от их мощности. PACS: 85.60.Jb, 85.35.Be, 78.67.De