Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * &lt;&lt; Сигм Плюс&gt;&gt;, 117342 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мощные лазеры (lambda =808-850 нм) наоснове асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения

Андреев А.Ю., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С.

Андреев А.Ю., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Налет Т.А., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Сабитов Д.Р., Симаков В.А., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda =808-850 нм) наоснове асимметричной гетероструктуры раздельного ограничения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 628

Аннотация Согласно концепции мощных полупроводниковых лазеров, в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии выращены симметричные и асимметричные гетерострутуры раздельного ограничения. На основе лазерных структур изготовлены мощные полупроводниковые лазеры с апертурой излучения100 мкм, излучающие в диапазоне длин волн 808-850 нм. Внутренние оптические потери в асимметричных гетероструктурах раздельного ограничения с расширенным волноводом снижены до0.5 см-1. Влазерах с толщиной волновода1.7 мкм достигнута мощность оптического излучения7.5 Вт в непрерывном режиме генерации благодаря снижению плотности оптического излучения на зеркале резонатора до4 МВт/см2. PACS: 42.55.Px, 85.60.Jb