Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФилиал ФГУП \glqq Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова\grqq, 249033 Обнинск, Россия * Московский государственный институт стали и сплавов (технологический университет), 119049 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Влияние облучения реакторными нейтронами итемпературы наструктуру монокристалловInP
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д.
Бойко В.М., Бублик В.Т., Воронова М.И., Колин Н.Г., Меркурисов Д.И., Щербачев К.Д. Влияние облучения реакторными нейтронами итемпературы наструктуру монокристалловInP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 641
Аннотация Представлены результаты исследования характера влияния облучения быстрыми и полным спектром реакторных нейтронов и последующих термообработок на структурные характеристики монокристалловInP. Показано, что в отличие от других полупроводниковых соединений AIIIBV в монокристаллахInP при облучении нейтронами период решетки уменьшается. Основной вклад в изменение периода решетки вносят быстрые нейтроны. Наличие составляющей тепловых нейтронов, приводящих к образованию в материале атомовSn, не вызывает существенного изменения периода решетки. Термообработка облученных образцов до температуры порядка600oC приводит к отжигу радиационных дефектов и восстановлению периода решетки, а при больших флюенсах нейтронов период решетки становится больше, чем до облучения. Анализ полученных экспериментальных результатов позволил сделать предположение о том, что уменьшение периода решетки вInP при облучении нейтронами вызвано в основном образовавшимися антиструктурными дефектамиPIn, вызывающими в данном случае эффект, аналогичный вакансионным дефектам. PACS: 61.66.-f, 61.80.Hg, 61.82.Fk, 81.40.Wx, 81.40.Gh

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален