Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияСибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Самосогласованный расчет туннельного тока вдвухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Самосогласованный расчет туннельного тока вдвухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 695
Аннотация
-1 На основе совместного решения уравнений Шредингера и Пуассона с учетом спонтанной и пьезоэлектрической поляризации изучены особенности туннельного тока в двухбарьерных вюрцитных структурах GaN / AlGaN (0001). Показано, что внутренние поля проявляют себя в асимметрии туннельного тока через величину электронного заряда в квантовой яме. Этот заряд больше, когда внешнее и внутреннее поля в яме компенсируют друг друга, что приводит к уменьшению сдвигов потенциала активной области и резонансных уровней от напряжения, увеличению сопротивления структуры и линейной зависимости тока от напряжения в широком интервале напряжений. При совпадении внешнего и внутерннего полей в токе возникает резкая структура отрицательной дифференциальной проводимости с отношением пик / долина ~4, подобная одной из ветвей вольт-амперной характеристики двухбарьерной структуры GaAs / AlGaAs (001), что свидетельствует о перспективности использования нитридных материалов в резонансно-туннельных приборах. PACS: 73.63.Hs, 73.21.Fg
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален