Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФрязинский институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами
Герус А.В., Герус Т.Г. Эффекты накопления зарядов в структурах с квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 701
Аннотация
Рассмотрено явление накопления зарядов, образовавшихся из-за поглощения света в структурах с квантовыми ямами в продольном электрическом поле. Показано, что процесс накопления зарядов в такой двумерной структуре существенно отличается от трехмерного случая. Рассчитаны распределения зарядов в структурах для различных значений электрических полей и полного количества накопленных зарядов. Показано также, что при значительных количествах накопленных зарядов существенную роль в распределении потенциалов и зарядов начинает играть фермиевское вырождение. Такое накопление зарядов может привести к необычной люминесценции, когда процессы генерации носителей заряда и последующей рекомбинации могут быть значительно разнесены по времени. Кроме того, такая люминесценция не будет замаскирована излучением от переходов, связанных с хвостами в запрещенной зоне, и излучением от подложки. PACS: 73.63.Hs, 78.40.-q, 78.67.De
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален