Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ, Саров, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Рентгенодифракционные иэлектронно-микроскопические исследования влияния gamma -излучения намногослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs

Бобыль А.В., Гуткин А.А., Брунков П.Н., Заморянская И.А., Яговкина М.А., Мусихин Ю.Г., Саксеев Д.А., Конников С.Г., Малеев Н.А., Устинов В.М., Копьев П.С., Пунин В.Т., Илькаев Р.И., Алферов Ж.И. Рентгенодифракционные иэлектронно-микроскопические исследования влияния gamma -излучения намногослойные гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 707

Аннотация Исследовано влияние gamma-излучения на структурные изменения в транзисторных многослойных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Спомощью рентгенодифракционных измерений и просвечивающей электронной микроскопии установлено, что при gamma-облучении с дозой выше ~3· 107 рад начинает происходить разрушение слоя GaAs, находящегося на поверхноcти таких структур. При дозе облучения 108 рад планарность поверхности значительно ухудшается и ее шероховатость достигает нескольких нанометров. Кроме того, в приповерхностном слое структуры под воздействием gamma-облучения наблюдается образование дислокаций. Причина такого поведения поверхностного слоя может быть связана с существованием слоя окисла на его свободной поверхности и с возможными, индуцируемыми gamma-облучением, химическими реакциями между атомами слоя и свободными радикалами, образующимися в окисле и в окружающей атмосфере. Заметных изменений структуры и состава тонкого слоя канала InGaAs при дозах до 108 рад не происходит. PACS:61.80.Cb, 68.35.Ct, 68.37.Lp, 68.55.Jk, 81.40.Wx