Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия * Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, 634050 Томск, Россия + Институт физики прочности и материаловедения Сибир ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs

Захаров Д.Н., Калыгина В.М., Нетудыхатко А.В., Панин А.В.

Захаров Д.Н., Калыгина В.М., Нетудыхатко А.В., Панин А.В. Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические характеристики диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 747

Аннотация Исследованы электрические свойства диодов Шоттки Au/Ti--n-GaAs в зависимости от технологии получения. Прямые и обратные вольт-амперные характеристики диодов в слабых электрических полях анализируются на основе механизма термоэлектронной эмиссии через барьер металл--полупроводник. Предполагается, что рост обратных токов в интервале 20-60 B можно объяснить эффектом Пула--Френкеля. При напряжениях выше60 B избыточные обратные токи обусловлены туннелированием, облегченным фононами, через глубокие состояния в области обеднения полупроводника. PACS: 73.30+y, 85.30.De, 85.30.Hi