Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияГосударственное предприятие НИИ &#92;glqq Орион&#92;grqq, 03057 Киев, Украина * Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук, 03028 Киев, Украина + Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 1 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Контакты с диффузионными барьерами наоснове фаз внедренияTiN, Ti(Zr)Bx вСВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц

Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Беляев А.Е., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Миленин В.В., Арсентьев И.Н., Бобыль А.В., Брунков П.Н., Тарасов И.С., Тонких А.А., Улин В.П., Устинов В.М., Цырлин Г.Э. Контакты с диффузионными барьерами наоснове фаз внедренияTiN, Ti(Zr)Bx вСВЧ диодах диапазона 75-350 ГГц // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 753

Аннотация Новая технология термически стабильных омических контактов с диффузионными барьерами на основе аморфных фаз внедрения TiN, Ti(Zr)Bx использована при разработке СВЧдиодов миллиметрового диапазона (более 100 ГГц) на основе GaAs, InP иSi. Повышение надежности GaAs, InP диодов Ганна, работающих на частоте 200 ГГц, стало возможным также и за счет использования в качестве исходных приборных структур эпитаксиальных слоев, полученных методами газофазной, молекулярно-пучковой и жидкофазной эпитаксии на пористые подложки AIIIBV. Диапазон работы лавинно-пролетных диодов на основеSi увеличен до350 ГГц. Для этого впервые была использована технология формирования активного элемента на кремниевой металлизированной мембране. PACS: 85.30.Mn, 85.30.Fg