Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мощные лазеры (lambda =940-980 нм) наоснове асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения

Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Шамахов В.В., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Рудова Н.А., Соколова З.Н., Слипченко С.О., Хомылев М.А., Тарасов И.С. Мощные лазеры (lambda =940-980 нм) наоснове асимметричной GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры раздельного ограничения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 764

Аннотация Методом МОС-гидридной эпитаксии получены асимметричные GaInAs / GaInAsP / AlGaAs-гетероструктуры, излучающие на длинах волн 940 и 980 нм. Состав твердого раствора волноводного слоя Ga0.74In0.26As0.47P0.53 был выбран на основе расчета энергии выброса электронов из квантовой ямы активной области в волновод. Полученные гетероструктуры использовались для изготовления полупроводниковых лазеров с апертурой излучения 100 мкм. Внепрерывном режиме генерации лазеров при комнатной температуре была достигнута максимальная выходная оптическая мощность12 Вт. Внутренние оптические потери составляли 0.6 и 0.3 см-1 соответственно на длинах волн 940 и980 нм. PACS: 42.55.Px; 85.60.Jb; 78.67.-n