Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет им.Ю.Федьковича, 58012 Черновцы, Украина * Украинский национальный университет водного хозяйства и природопользования, 33028 Ровно, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Изменения электрофизических свойств кристаллов Cd1-xZnxTe после термообработки

Никонюк Е.С., Захарук З.И., Рыбак Е.В., Дремлюженко С.Г., Шляховый В.Л., Ковалец М.А.

Никонюк Е.С., Захарук З.И., Рыбак Е.В., Дремлюженко С.Г., Шляховый В.Л., Ковалец М.А. Изменения электрофизических свойств кристаллов Cd1-xZnxTe после термообработки // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 802

Аннотация Проведен анализ примесно-дефектной системы в кристаллах Cd1-xZnxTe (0.02=<q x=<q 0.15) до и после термообработки при температурах 720--1170 K. Установлено, что в большинстве этих кристаллов проводимость контролируется двумя типами акцепторов A1 (EV=0.03-0.05 эВ) и A2 (EV=0.012-0.15 эВ). Изменение электрофизических свойств кристаллов после термообработки зависит от концентрации неконтролируемых примесей в исходном материале и степени компенсации акцептора A1. Увеличение сопротивления и однородности образцов происходит в результате двух последовательных термообработок. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Ey, 81.05.Dz, 81.40.Gh