Профиль » Публикация

Аннотация Исследована магнитополевая зависимость фотопроводимости Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (BIB-структур) с концентрацией примеси бора в активном слое ~ 1018 см-3. Измерения выполнены в импульсных магнитных полях B до 30 Тл при длительности импульса 0.8 с в диапазоне температур T=4.2-9 K при облучении структур фоном комнатной температуры интенсивностью ~ 1016 фотон/см2·c. Установлено, что в продольной геометрии, когда магнитное поле направлено параллельно электрическому полю, падение фототока с увеличением B происходит главным образом из-за уменьшения коэффициента умножения дырок M в поле и(или) из-за увеличения в поле энергии активации прыжковой проводимости в активном слое. При T=4.2 K падение фототока может достигать нескольких десятков раз. Вто же время при пониженных напряжениях смещения Vb, когда M~ 1, и повышенных температурах, T~ 9 K, падение фототока не превышает 2 раз в полях ~ 30 Тл. Обнаружено также, что в поперечной геометрии (магнитное поле перпендикулярно электрическому полю) влияние магнитного поля на фотоотклик структуры существенно увеличивается (при T=4.2 K более чем на порядок). Данный факт объясняется эффектами накопления заряда в нелегированном слое BIB-структур из-за увеличения времени пролета дырками этого слоя, связанного с сильным искривлением траекторий их движения в поперечной геометрии. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.50.Jt.