Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияНациональный университет Узбекистана, 700174 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование влияния ультразвукового воздействия нагенерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния

Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г.

Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. Исследование влияния ультразвукового воздействия нагенерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 829

Аннотация При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл--окисел--полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO2, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер. PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr