Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 125009 Москва, Россия + Technische Universitat Darmstadt, D-64283 Darmstadt, Deutschland ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta (Si)-GaAs

Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А.

Котельников И.Н., Дижур С.Е., Фейгинов М.Н., Мордовец Н.А. Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta (Si)-GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 839

Аннотация Методом туннельной спектроскопии при гелиевых температурах исследован эффект замороженой (persistent) туннельной фотопроводимости: сгущение пустых уровней в приповерхностном delta-легированном слое GaAs после внешней подсветки. Показано, что этот эффект обусловлен уширением потенциальной ямы delta-слоя. При энергиях фотонов hnu больше ширины запрещенной зоны Eg в GaAs это происходит за счет накопления положительного заряда в глубине GaAs при генерации электронно-дырочных пар и за счет фотоионизации глубоких центров. При hnu