Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Перенос носителей заряда вструктуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации

Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б.

Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Перенос носителей заряда вструктуре SiC-детектора после экстремальных доз радиации // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 886

Аннотация Исследовалась эффективность переноса заряда в SiC-детекторах после облучения протонами с энергией8 МэВ при дозе 1014 см-2. По числу первично созданных дефектов режим облучения эквивалентен ожидаемым нарушениям решетки SiC-детекторов при использовании в экспериментах на модернизированном коллайдере ЦЕРНа (SLHC). Использовалась техника ядерной спектрометрии с тестированием детекторов alpha-частицами с энергией5.4 МэВ. Сучетом произошедшей в ходе облучения глубокой компенсации проводимости SiC предлагается включать структуру в нетрадиционном пропускном направлении. Вэтом режиме ход напряженности электрического поля по координате детектора оказывается более однородным. Для обработки данных эксперимента предложена наглядная модель транспорта носителей. PACS: 07.77.Ka; 87.66.Pm