Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние смещения электронно-дырочного равновесия напроцесс диффузии переходных металлов вGaAs

Хлудков С.С.

Хлудков С.С. Влияние смещения электронно-дырочного равновесия напроцесс диффузии переходных металлов вGaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 897

Аннотация Исследована диффузия примесей переходных элементов Fe, Cu иCr в сильно легированном p+-, n+- и собственном (при температуре диффузии) GaAs. Использована методика, по которой диффузия примеси осуществляется в структуры на основе GaAs с сильно легированными слоями (p+-n или n+-n). Показано, что коэффициент диффузии примеси в p+-GaAs существенно выше, а в n+-GaAs ниже, чем в i-GaAs. Полученные результаты обсуждаются на основе представлений о влиянии смещения электронно-дырочного равновесия в полупроводнике на процесс диффузии примесей, мигрирующих по диссоциативному механизму. Определена концентрация межузельной компоненты примесей Fe, Cu иCr вGaAs при температуре диффузии. PACS: 68.35.Fx, 66.30.Jt