Профиль » Публикация

Аннотация Развита модель сегрегационного перераспределения примесей редкоземельных элементов при твердофазной эпитаксиальной кристаллизации слоев кремния, аморфизованных имплантацией. Воснове модели лежит образование на межфазной границе со стороны a-Si переходного слоя с высокой подвижностью атомов, ширина которого определяется диффузионной длиной вакансий в a-Si. Врамках модели проанализированы концентрационные профили Er в кремнии при его соимплантации с кислородом. Показано, что при больших дозах имплантации редкоземельных ионов необходимо учитывать образование кластеров Rm (m=4), где R--- атом редкоземельного элемента, а при соимплантации ионов кислорода--- образование комплексов ROn (n=3-6), влияющих на ширину переходного слоя и коэффициент сегрегации. PACS: 61.72.Cc, 61.72.Ji, 61.72.Tt, 66.30.Jt, 64.75+g