Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияКиевский национальный университет им.Т.Шевченко, 01033 Киев, Украина * Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта наповерхности кремния
Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. Направленная латеральная кристаллизация силицидной фазы кобальта наповерхности кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 909
Аннотация
Показано, что центрами локального зарождения силицидной фазы CoSi2 являются структурные дефекты поверхности кремния. Втаких дефектах за счет преимущественной диффузии кобальта реализуется локальная экзотермическая реакция, которая инициирует процесс последующей самоподдерживающейся латеральной кристаллизации фазы CoSi2. Показана возможность использования процессов направленного формирования силицидной фазы для изготовления наноразмерных структур без применения операций традиционной литографии и химического травления. PACS: 68.35.Dv, 65.55.Ln, 81.05.Cy, 81.10.Aj
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален