Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияГрузинский технический университет, 0175 Тбилиси, Грузия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si

Пагава Т.А.

Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 919

Аннотация Сцелью изучения влияния температуры облученияTirr на процесс дефектообразования исследовались монокристаллы n-Si. Исследуемые образцы облучались электронами с энергией2 МэВ винтервале Tirr=20-400oC. Изохронный отжиг облученных кристаллов проводился в интервале 80-600oC. Измерения проводились методом Холла в интервале77-300 K. Показано, что эффективность введения радиационных дефектов с высокой термостабильностью (Tann>=350oC) достигает максимума при Tirr=150oC. Наблюдаемый эффект объясняется образованием мультивакансионных дефектовPV2 на базе ионизированных E-центров и неравновесных вакансий. PACS: 71.55.Cn, 72.15.Gd, 61.80.-x, 61.72.Cc