Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия + Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова (факультет наук о материалах), 119992 Москва, Россия * Институт проблем материаловедения Наци ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия всплавахPb1-xSnxTe

Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е.

Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Дмитриев Н.Н., Голубев А.В., Слынько В.Е. Стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем галлия всплавахPb1-xSnxTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 922

Аннотация Исследованы электрофизические свойства сплавов n-Pb1-xSnxTe (x=0.09-0.21), легированных галлием. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла, указывающие на стабилизацию уровня Ферми резонансным уровнем галлия, расположенным в зоне проводимости. По экспериментальным данным в рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от состава сплава и температуры. Показано, что положение резонансного уровня галлия относительно потолка валентной зоны практически не зависит от состава матрицы, и получена зависимость термического коэффициента движения резонансного уровня относительно середины запрещенной зоны от состава сплава. PACS: 71.20Nr, 71.55.Ht