Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут проблем материаловедения им. И.Н.Францевича Национальной академии наук Украины, 58001 Черновцы, Украина *Черновицкий национальный университет им. Ю.Федьковича, 58012 Черновцы, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д.

Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 940

Аннотация Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов вInSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке. PACS:73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb