Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432970 Ульяновск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннелирование и ударная ионизация втонкопленочных электролюминесцентных структурах на основеZnS : Mn

Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В.

Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Туннелирование и ударная ионизация втонкопленочных электролюминесцентных структурах на основеZnS : Mn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 949

Аннотация Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекающего через слой люминофора, от времени. Получены зависимости указанных параметров от времени для полного цикла работы электролюминесцентных излучателей, установлено влияние на них частоты и амплитуды импульсов напряжения возбуждения, а также засветки излучателей в синей области спектра во время паузы между импульсами. Определены зависимости от времени коэффициента умножения и числа ионизаций, приходящихся на один электрон в области ударной ионизации. Оценена максимальная величина коэффициента ударной ионизации, составляющая>=q 2.6· 104 см-1. PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf