Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * Институт физической химии Национальной академии наук Украины, 03039 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда вспектры излучения квантовых точек CdS вборосиликатном стекле

Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М.

Бондарь Н.В., Бродин М.С., Тельбиз Г.М. Вклад внутренних и поверхностных состояний носителей заряда вспектры излучения квантовых точек CdS вборосиликатном стекле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 962

Аннотация Получены и проанализированы спектры фотолюминесценции квантовых точек CdS, выращенных в боросиликатном стекле золь--гель методом. Показано, что спектры фотолюминесценции образцов обусловлены аннигиляцией свободных (внутренних) экситонов в основном и возбужденном состояниях. Впервые обнаружено излучение из поверхностных уровней квантовых точек в области 2.7 эВ, обусловленное рекомбинацией локализованных на поверхности электронов с тяжелыми дырками в свободных состояниях квантовых точек. Резонансное возбуждение этих структур позволило установить характерные особенности поверхностных локализованных состояний, формирующих полосу фотолюминесценции, свойства которой во многом схожи со свойствами полос излучения как трехмерных (аморфные полупроводники, твердые растворы замещения), так и двумерных (квантовые ямы и сверхрешетки) систем. PACS: 73.21.La, 78.67.Hc, 78.55.Et