Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми ямами

Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М.

Саченко А.В., Корбутяк Д.В., Крюченко Ю.В., Купчак И.М. Экситонная фотолюминесценция структур скремниевыми квантовыми ямами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 969

Аннотация В приближении эффективной массы и квадратичного закона дисперсии рассчитаны энергии связи экситона и энергии излучательных экситонных переходов в одиночных квантовых ямах SiOx--Si--SiOx. Кроме реальных конечных величин разрывов зон в структурах с такими квантовыми ямами был учтен также эффект диэлектрического усиления энергии связи экситона из-за поляризации гетерограниц. Рассчитана также зависимость экситонного бесфононного времени излучательной рекомбинации от ширины квантовой ямы SiOx--Si--SiOx. Она имеет немонотонный (осциллирующий) характер, что обусловлено непрямозонностью кремниевого материала. Показано, что теоретически рассчитанные энергии излучательных экситонных переходов в квантовых ямах SiO2--Si--SiO2 согласуются с полученными из эксперимента при ширинах квантовых ям >=q 1.5 нм. Достигнуто достаточно хорошее согласие между экспериментальными и теоретически рассчитанными спектральными зависимостями фотолюминесценции квантовых ям SiO2--Si--SiO2. PACS: 78.67.Hc, 73.21.Fg