Профиль » Публикация

Аннотация Теоретически исследована возможность управления с помощью постоянного поперечного электрического поля эффектами пространственного повторения и мультипликации для плотности потока вероятности jx(x,z) (или квантовомеханической плотности токаejx(x,z), e--- заряд электрона), возникающими при интерференции электронных волн в полупроводниковых двумерных наноструктурах. Показано, что в структурах, представляющих собой последовательно расположенные в направлении распространения электронной волны (осьx) узкую и широкую вдоль осиz (ось размерного квантования) квантовые ямы прямоугольного профиля, поперечное распределениеjx(0,z), существующее на входе широкой квантовой ямы, с определенной точностью периодически воспроизводится в сечениях Xp=pX1 (повторяемость) и расщепляется в симметричной по осиz наноструктуре наq идентичных пиков вqраз меньшей интенсивности на расстоянииX1/q от входа (мультипликация) (p иq--- целые числа). Показано, что управление этими эффектами возможно с помощью постоянного поперечного (вдоль осиz) электрического поля в области широкой квантовой ямы. Уменьшение в электрическом поле эффективной ширины квантовой ямы и возникновение в ней асимметрии в поперечном направлении приводят к кардинальному изменению в ней пространственного распределенияjx(x,z) и возможности инверсной заселенности квантово-размерных подзон. PACS:73.21.Fg, 73.63.Hs