Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Electrical and Computer Engineering Department, University ofWaterloo, ONN2L3G1 Waterloo, Canada + ATI Technologies Inc., L3T 7XG Ontario, Canada ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Низкотемпературные материалы итонкопленочные транзисторы дляэлектроники нагибких подложках

Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A.

Сазонов А., Мейтин М., Стряхилев Д., Nathan A. Низкотемпературные материалы итонкопленочные транзисторы дляэлектроники нагибких подложках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 986

Аннотация Рассмотрены процессы осаждения и электронные свойства тонкопленочных полупроводников и диэлектриков на основе кремния для производства электронных приборов на гибких пластиковых пленках. Пленки аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si : H), нанокристаллического кремния (nc-Si) и аморфного нитрида кремния (a-SiNx), а также тонкопленочные транзисторы (ТПТ) были изготовлены при низких температурах процессов (120oC, 75oC) с использованием существующего промышленного плазмохимического оборудования. Параметры тонкопленочных транзисторов на основе a-Si : H, изготовленных при столь низких температурах, соответствуют своим высокотемпературным аналогам. PACS: 81.15.Gh, 85.30.Tv