Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка

Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р.

Хлудков С.С., Корецкая О.Б., Бурнашова Г.Р. Диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1025

Аннотация Исследована диффузия хрома в GaAs при равновесном давлении паров мышьяка. Определена температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома в GaAs. Температурная зависимость коэффициента диффузии и растворимости хрома описывается уравнением Аррениуса с параметрами для коэффициента диффузии: D0=3.1·105 см2/с, E=3.2±0.4 эВ; для растворимости: NS=2.1·1021 см-3, ES=1.0±0.3 эВ. Полученные экспериментальные результаты сравниваются с ранее опубликованными данными по диффузии хрома при большом давлении паров мышьяка и анализируются с позицийдиссоциативного механизма миграции атомов хрома вGaAs. PACS: 66.30.-h, 81.05.Ea