Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений вгомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия

Генцарь П.А.

Генцарь П.А. Радиационно-стимулированная релаксация внутренних механических напряжений вгомоэпитаксиальных пленках фосфида галлия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1051

Аннотация Методом электроотражения исследованы электронные переходыE0, E0+Delta0 в гомоэпитаксиальных пленках n-GaP (111) с концентрацией электронов 5.7·1023 м-3 до и после облучения gamma-квантами 60Co в интервале доз 105-106 рад при комнатной температуре с использованием электролитической методики. Наблюдалось расщепление низкоэнергетического экстремума после облучения. Уменьшение внутренних механических напряжений в пленке под действием gamma-облучения оценивалось по изменению энергии электронного перехода и столкновительного параметра уширения. Оценено также увеличение времени энергетической релаксации носителей заряда после облучения. PACS:61.80.Ed, 71.70.Ej, 78.20.Jq, 81.40.Wx