Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики им.В.А.Фока, 198904 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников всильных электрических полях

Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В.

Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1062

Аннотация Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях основной вклад в эмиссионный ток вносит туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника, а не из зоны проводимости. PACS: 79.70.+q, 79.60.Jv