Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Department of Electrical and Computer Engineering, ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Перенос носителей заряда вструктуре скремниевыми нанокристаллами, внедренными воксидную матрицу

Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L.

Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L. Перенос носителей заряда вструктуре скремниевыми нанокристаллами, внедренными воксидную матрицу // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1079

Аннотация Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.