Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация+ Российский научный центр &#92;glqq Курчатовский институт&#92;grqq, 123182 Москва, Россия * Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 141120 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора

Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В.

Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В. Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1082

Аннотация При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к квазидвумерной перколяционной проводимости свободных дырок во флуктуационном потенциале ионизованных примесей легированного поверхностного p-слоя, обедняемого под действием эффекта поля. Изанализа delta Rxy получены оценки радиуса корреляции перколяционного кластера Lc, определяющего масштаб электрической неоднородности структуры, в зависимости от потенциала затвораVg. Показано, что зависимость Lc от Vg хорошо описывается в рамках представлений о нелинейном экранировании флуктуационного потенциала дырками и о перколяционном характере их транспорта при изменении Lc от значений ~ 10 нм до~ 1 мкм. PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b