Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * Институт физики Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина $ AMRC, Meisei University, Hino, Tokyo 191-8506, Japan # ЗАО &#
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Cтруктурные дефекты нагетерограницах ифотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире
Кладько В.П., Чорненький С.В., Наумов А.В., Комаров А.В., Tacano M., Свешников Ю.Н., Витусевич С.А., Беляев А.Е. Cтруктурные дефекты нагетерограницах ифотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1087
Аннотация
Проведена комплексная рентгенодифрактометрическая и спектрально-оптическая характеризация эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN (x=0.25), выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии на подложках монокристаллического сапфира(0001). Определены значения компонентов деформаций и плотности дислокаций, изучено их влияние на интенсивность и спектры фотолюминесценции. Результаты исследования позволили лучше понять природу и объяснить механизмы дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах AlGaN/GaN. PACS: 61.10.Nz, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 78.55.Cr
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален