Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев-028, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения
Генцарь П.А., Власенко А.И. Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1094
Аннотация
Сделан анализ связи осцилляций Келдыша--Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на примере спектров электроотражения гомоэпитаксиальных пленок n-GaAs(100) с концентрацией 1017-1018 см-3. Спектры измерены методом барьера Шоттки при комнатной температуре, в неполяризованном свете, в спектральном диапазоне 1.3-1.65 эВ в области перехода E0 (Gamma8V-Gamma6C). Из количественного анализа спектров электроотражения получены электронные параметры пленок: энергия электронного переходаE0, электрооптическая энергияhtheta, поверхностное электрическое полеFs, энергетическое время релаксации носителей зарядаtau, протяженность осцилляции волновой функции квантово-механической частицыlambdaKF с приведенной эффективной массойmu при данном поверхностном электрическом полеFs, величина электронной подвижностиmue. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Jq, 78.40.Fy, 78.68.+m
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален