Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация&#36; Научно-образовательный комплекс &#92;glqq Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр&#92;grqq Российской академии наук, 195220 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический инстутит им. А.Ф.Иоффе Российской академ ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ороли поверхностной диффузии адатомов приформировании нанометровых нитевидных кристаллов

Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сурис Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C.

Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сурис Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. Ороли поверхностной диффузии адатомов приформировании нанометровых нитевидных кристаллов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1103

Аннотация Построена теоретическая модель формирования нанометровых нитевидных кристаллов на поверхностях, активированных каплями катализатора роста, учитывающая диффузию адатомов с поверхности подложки на боковую поверхность кристаллов. Получено точное решение диффузионной задачи для потока адатомов с поверхности на нанометровые нитевидные кристаллы и проанализированы его частные случаи для малых и больших эффективных диффузионных длин адатомаlambdas. Дано общее выражение для длины нитевидного кристаллаL в зависимости от его радиусаR и условий роста, применимое для широкого класса ростовых технологий. Теоретические результаты сравниваются с экспериментальными зависимостямиL(R) в области размеров R=20-250 нм для нитевидных кристалловGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs (111) В, активированнойAu. Показано, что зависимостьL(R) ведет себя в некоторой области параметров как 1/R2ln(lambdas/R), что качественно отличается от классической диффузионной зависимости1/R. PACS:68.65.La, 68.55.Ac, 68.55.Jk, 81.15.Kk, 81.15.Hi