Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Электрон Оптроник, 194223 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Спектрометрические свойства SiC-детекторов наоснове ионно-легированных p+-n-переходов

Калинина Е.В., Коссов В.Г., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Яфаев Р.Р., Холуянов Г.Ф.

Калинина Е.В., Коссов В.Г., Строкан Н.Б., Иванов А.М., Яфаев Р.Р., Холуянов Г.Ф. Спектрометрические свойства SiC-детекторов наоснове ионно-легированных p+-n-переходов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1123

Аннотация Впервые представлены результаты исследований, выполненных в спектрометрическом режиме, детекторов ядерных излучений, изготовленных на основе p+-n-переходов, сформированных в пленках 4H-SiC. Переходы создавались ионным легированием алюминием эпитаксиальных слоев 4H-SiC толщиной 26 мкм, выращенных методом газофазной эпитаксии с концентрацией нескомпенсированных доноров (3-5)·1015 см-3. Характеристики детекторов определялись при тестировании alpha-частицами естественного распада с энергиями3.35 и5.4 МэВ. Эффективность собирания заряда, созданного alpha-частицами с энергией 3.35 МэВ, достигала 100%, при этом разрешение по энергии составляло=<sssim2%. PACS: 85.30.De, 85.30.Kk, 72.70.+m, 29.40.Wk.