Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, D-10623 Berlin, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазерная генерация надлине волны1.3 мкм прикомнатной температуре вмикродиске сквантовыми точками

Крыжановская Н.В., Блохин С.А., Гладышев А.Г., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Аракчеева Е.М., Танклевская Е.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Шток Э., Бимберг Д. Лазерная генерация надлине волны1.3 мкм прикомнатной температуре вмикродиске сквантовыми точками // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1128

Аннотация Исследованы температурные зависимости лазерных характеристик GaAs/(AlGa)xOy-микродиска диаметром6 мкм, изготовленного при помощи оптической литографии, сухого травления пучком ионов Ar+ и селективного окисления Al0.97Ga0.03As-слоя, формирующего основание микродиска. Вкачестве активной области микродиска использовались InAs/InGaAs-квантовые точки. Продемонстрирована лазерная генерация в области1.3 мкм при комнатной температуре с пороговой мощностью оптической накачки 180 мкВт. Добротность мод микродиска составляет около104. PACS: 42.55.Sa, 73.63.Kv, 78.67.Hc