Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияУльяновский государственный университет, 432970 Ульяновск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны наспектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов

Булярский С.В., Жуков А.В., Светухина О.С., Трифонов О.А.

Булярский С.В., Жуков А.В., Светухина О.С., Трифонов О.А. Влияние стационарных процессов ионизации ловушек вблизи середины запрещенной зоны наспектр термостимулированной емкости полупроводниковых приборов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1133

Аннотация Предложен алгоритм расчета параметров глубоких центров в области пространственного заряда полупроводниковых приборов из анализа кривых термостимулированной емкости при наличии центров рекомбинации, лежащих у середины запрещенной зоны. Выполнена апробация метода на промышленных GaAs-светоизлучающих диодахАЛ-107. Результаты расчета параметров глубоких центров в исследуемых материалах соответствовали результатам других методов анализа. PACS: 85.60.Jb; 72.20.Jv; 78.30.Fi