Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si спространственно неоднородной толщиной диэлектрика

Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф., Грехов И.В.

Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Вольт-амперные характеристики туннельных МОП диодов Al/SiO2/p-Si спространственно неоднородной толщиной диэлектрика // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1137

Аннотация Изучается влияние неоднородности распределения толщины диэлектрика на поведение туннельных МОП структур Al/SiO2/p-Si с толщиной диэлектрика 1--4 нм. Характер и степень этого влияния зависят от прикладываемого напряжения. При любых условиях наличие неоднородности толщины SiO2 увеличивает сквозные токи по сравнению с токами через однородный окисел той же номинальной толщины. Кроме того, в режиме инверсии изменяется потенциал инверсионного слоя. При расчетах учитываются туннельный перенос между зоной проводимости Si и металлом, между валентной зоной Si и металлом (в том числе в режиме инверсии--- резонансный транспорт, из-за неоднородности толщины он проявляется менее отчетливо), а также туннелирование зона--зона в полупроводнике. PACS: 85.30.Mn, 73.40.Qv, 73.40.Gk