Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут электроники Национальной академии наук Беларуси, 220090 Минск, Республика Беларусь ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади наоснове InGaAs/InP

Малышев С.А., Чиж А.Л., Василевский Ю.Г.

Малышев С.А., Чиж А.Л., Василевский Ю.Г. Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади наоснове InGaAs/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1144

Аннотация Разработана стационарная физико-топологическая модель p-i-n-фотодиода на основе двумерного дрейфово-диффузионного описания процессов переноса носителей заряда в многослойных гетероструктурах InxGa1-xAsyP1-y/InP с учетом функции распределения Ферми--Дирака для электронов и дырок, зависимости подвижности от концентрации легирующей примеси и напряженности электрического поля, а также термоэлектронной эмиссии и туннелирования носителей заряда на гетерограницах. Проведен анализ влияния конструктивных параметров на характеристики p-i-n-фотодиода большой площади и предложены пути расширения его динамического диапазона. PACS: 73.40.Kp, 78.66.Fd, 85.30.De, 85.60.Dw