Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 01650 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Две серии полос &#92;glqq дислокационной&#92;grqq фотолюминесценции вкристаллах теллурида кадмия

Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А.

Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Две серии полос \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции вкристаллах теллурида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1175

Аннотация Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий--- \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции. Получены спектральное распределение \glqq дислокационных\grqq полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях(111) и(001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура,--- Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями. PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji