Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов инейтральных частиц визолирующем слое на поверхности полупроводника

Гольдман Е.И.

Гольдман Е.И. Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов инейтральных частиц визолирующем слое на поверхности полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1209

Аннотация В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. Врастворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц. PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv