Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет&#92;glqq ЛЭТИ&#92;grqq, 197376 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур сквантовыми ямами спомощью самосогласованного решения уравнений Шредингера иПуассона

Зубков В.И.

Зубков В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур сквантовыми ямами спомощью самосогласованного решения уравнений Шредингера иПуассона // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1236

Аннотация Работа посвящена развитию методов расчета вольт-фарадных характеристик и определения профиля концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых легированных гетероструктурах, содержащих квантовую яму. Расчет вольт-фарадной характеристики гетероструктуры с квантовой ямой осуществляется с помощью численного самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера в рамках единого квантовомеханического подхода. Предложенный метод применен для моделирования и анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. PACS: 73.21.Fg, 73.40.Cg