Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц

Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б.

Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1259

Аннотация Выполненные на основе современных CVD-пленок SiC детекторы облучались протонами с энергией8 МэВ при дозе 3· 1014 см-2. Концентрация первично введенных дефектов составила ~ 1017 см-3, что на 3порядка величины превысило содержание исходных нескомпенсированных доноров. Наступившая глубокая компенсация проводимости позволила проводить измерения характеристик детекторов в двух режимах включения--- обратном и прямом направлении. Основные характеристики сравнительно с дозой 1· 1014 см-2 ухудшались не более чем в1.7 раза. Однако наблюдалось возникновение эдс поляризации, что указывает на накопление радиационными дефектами объемного заряда. PACS: 85.60.Gz