Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * NL-Nanosemiconductors GmbH, 44227 Dortmund, Germany x Industrial Technology Research Institute, Chutung, Hsinchu, 310, Taiwan, Republic of China ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик вполупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек

Блохин С.А., Сахаров А.В., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Lee G., Chi J.Y. Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик вполупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1264

Аннотация Экспериментально исследована температурная зависимость величины порогового тока для полупроводникового вертикально излучающего лазера на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек. Продемонстрировано, что для корректного описания температурных характеристик приборов следует использовать величину рассогласования между длиной волны генерации и максимумом спектра усиления (расстройку). Предложена форма описания температурной зависимости порогового тока вертикально излучающего лазера, учитывающая не только падение максимального усиления активной области с температурой, но и влияние температурной зависимости величины расстройки. PACS:42.55.Px, 85.60.Jb, 73.21.La