Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Высокоэффективные (49&#37;) мощные фотоэлементы наоснове антимонида галлия

Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова О.А., Сорокина С.В., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М.

Хвостиков В.П., Растегаева М.Г., Хвостикова О.А., Сорокина С.В., Малевская А.В., Шварц М.З., Андреев А.Н., Давыдов Д.В., Андреев В.М. Высокоэффективные (49%) мощные фотоэлементы наоснове антимонида галлия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1275

Аннотация Получены и исследованы высокоэффективные GaSb-фотоэлементы, предназначенные для преобразования мощного лазерного излучения и инфракрасного излучения эмиттеров, нагреваемых концентрированным солнечным излучением. Максимальный кпд преобразования излучения (lambda=1680 нм) полученных фотоэлементов составил49% при плотности фототока 50-100 А/см2. Исследованы пути снижения потерь на омических контактах к антимониду галлия p- и n-типа проводимости. Минимальные значения удельного сопротивления контактов (1-3)·10-6 Ом·см2 к p-GaSb с уровнем легирования 1020 см-3 были получены при использовании контактной системы Ti/Pt/Au. Для GaSb n-типа проводимости (2·1018 см-3) минимальные значения удельного контактного сопротивления составили 3·10-6 Ом·см2 при использовании контактных систем Au(Ge)/Ni/Au иAu/Ni/Au. PACS: 84.60.Jt, 78.55.Cr, 42.79.Fk, 73.50.Pz, 72.80.Ey