Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, 367003 Махачкала, Россия * Научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья, 601600 Александров, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрофизические итермоэлектрические свойства окиси цинка приатмосферном игидростатическом давлениях

Даунов М.И., Арсланов Р.К., Гаджиалиев М.М., Кортунова Е.В., Хохлачев П.П., Шванский П.П.

Даунов М.И., Арсланов Р.К., Гаджиалиев М.М., Кортунова Е.В., Хохлачев П.П., Шванский П.П. Электрофизические итермоэлектрические свойства окиси цинка приатмосферном игидростатическом давлениях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1289

Аннотация Исследованы температурные (T=77-400 K) и барические (P=<sssim 8 ГПа) зависимости удельной электропроводностиsigma(T,P), коэффициента ХоллаRH(T,P) и термоэдсQ(T) в монокристаллических образцах n-ZnO с концентрацией примесей Ni=1017-1018 см-3 и концентрацией свободных электронов n=1013-1017 см-3. Монокристаллы выращены гидротермальным методом. Определены концентрационная зависимость энергии ионизации мелкого донорного уровняEd1(Nd), коэффициенты давления d Ed1/d P и статической диэлектрической проницаемости dchi/d P. Установлено наличие глубокого уровня дефекта, расположенного под дном зоны проводимости на расстоянии Ed2=0.37 эВ. По данным о кинетических коэффициентахRH(T) иQ(T) рассчитана эффективная масса электронов. PACS: 72.20.Fr, 72.20.Pa, 72.80.Jc