Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Институт прикладных проблем механики и математики им. Я.Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, 79060 Львов, Украина + Национальный университет &#92;glqq Львовская политехника&#92;grqq, 79013 Львов, Украина &#92;wedge Лаборатория кри ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности винтерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs

Ромака В.А., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Тобола Я., Гореленко Ю.К., Шеляпина М.Г., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф.

Ромака В.А., Фрушарт Д., Стаднык Ю.В., Тобола Я., Гореленко Ю.К., Шеляпина М.Г., Ромака Л.П., Чекурин В.Ф. Условия достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности винтерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1309

Аннотация Условием достижения максимальных значений коэффициента термоэлектрической мощности Z* в интерметаллических полупроводниках структурного типа MgAgAs является их сильное легирование акцепторными и (или) донорными примесями до концентраций, при которых уровень Ферми фиксируется порогом подвижности соответствующей зоны непрерывных энергий. Максимум коэффициента термоэлектрической мощности является термически стабильным при условии одинаковой природы типа примесей, вводимых в полупроводник, и типа примесной зоны, вызывающей появление максимумаZ*. PACS:71.20.Nr; 72.20.Pa, 71.55.Ht, 75.20.Ck