Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияОбъединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия * Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, 02-668 Warsaw, Poland ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Бистабильность иэлектрическая активность комплекса вакансия--два атома кислорода вкремнии

Мурин Л.И., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Dobaczewski L.

Мурин Л.И., Маркевич В.П., Медведева И.Ф., Dobaczewski L. Бистабильность иэлектрическая активность комплекса вакансия--два атома кислорода вкремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1316

Аннотация Методами инфракрасного поглощения, эффекта Холла и нестационарной емкостной спектроскопии исследованы комплексы вакансия--два атома кислорода (VO2) в облученных кристаллах Si n-типа с различным уровнем легирования. Подтверждена обнаруженная ранее бистабильность VO2 и приведены доказательства электрической активности дефекта в метастабильной конфигурации VO2*. Установлено, что в данной конфигурации дефект обладает акцепторным уровнем, расположенным у EC-0.06 эВ. Показано, что полосы поглощения у967 и1023 см-1 обусловлены отрицательно заряженным состоянием VO2*, а полосы у928 и 1004 см-1 соответствуют нейтральному зарядовому состоянию дефекта. PACS:61.80.Fe, 61.82.Fk, 71.55.Cc, 78.30.Am