Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия + Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, D-06120 Halle, Germany * Institut fur Physik, Technische Universitat Chemnitz, D-09107 Chemnitz, Germa ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин

Милехин А.Г., Himcinschi C., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Schulze S., Zahn D.R.T.

Милехин А.Г., Himcinschi C., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Schulze S., Zahn D.R.T. Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1338

Аннотация Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла кремния в зависимости от температуры отжига. Показано, что толщина слоя SiO2 растет с увеличением температуры отжига с4.5 до6.0 нм. Анализ частот оптических фононов показал, что с ростом температуры отжига происходит релаксация механических напряжений в слое SiO2. Исследовано изменение характера химических связей на границе раздела кремниевых пластин, сращенных при низкой температуре (20-400oC), в зависимости от химической обработки поверхности пластин перед бондингом. Предложены модели процесса низкотемпературного бондинга после различной химической активации поверхности. PACS: 81.20.Vj, 81.65.Cf, 78.30.Am