Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Определение состава имеханических деформаций вGexSi(1-x)-гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели

Володин В.А., Ефремов М.Д., Дерябин А.С., Соколов Л.В.

Володин В.А., Ефремов М.Д., Дерябин А.С., Соколов Л.В. Определение состава имеханических деформаций вGexSi(1-x)-гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1349

Аннотация Метод спектроскопии комбинационного рассеяния света использовался для контроля состава и деформаций пленок твердых растворов GexSi1-x с 0.17=<q x=<q 1.0. Состав и деформации в пленках были определены также из данных дифракции рентгеновских лучей. Вспектрах комбинационного рассеяния анализировалось не только положение, но и интенсивность пиков рассеяния на колебаниях Ge-Ge-, Ge-Si- иSi-Si-связей. Это позволило существенно уточнить некоторые параметры модели для расчета состава и деформаций в гетероструктурах GexSi1-x/Si(100) из данных спектроскопии комбинационного рассеяния. PACS: 63.22.+m, 81.15.Hi, 78.30.Am