Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Национальный университет &#92;glqq Львивська политехника&#92;grqq, 79013 Львов, Украина + Санкт-Петербургский государственный политехнический уни ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Гетерофотоэлементы n-Ox/n-InSe: создание и свойства

Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Украинец В.О.

Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Украинец В.О. Гетерофотоэлементы n-Ox/n-InSe: создание и свойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1356

Аннотация Методом термообработки кристаллов n-InSe в воздушной среде получены выпрямляющие фоточувствительные гетеропереходы n-Ox/n-InSe, где n-Ox--- собственный окиселInSe. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности впервые полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что в полученных гетеропереходах наблюдается широкополосная фоточувстительность и при наклонном падении линейно поляризованного излучения возникает фотоплеохроизм. Обсуждается природа обнаруженного фотоплеохроизма. Сделан вывод о возможностях применения изотипных структур Ox/InSe в качестве фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучений. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 81.40.Tv, 81.65.Mq, 85.60.Dw